Elementy układu scalonego fabryka, Elementy układu scalonego produkty z Chin

SN74LVC14ADR 1.65-5.5V Hex Inverter with Schmitt-Trigger Inputs 32mA Output <10ns Speed Low Power Hysteresis Noise Immunity AEC-Q100 and Tiny SOIC-14 Package
Kontakt

SN74LVC14ADR 1.65-5.5V Hex Inverter with Schmitt-Trigger Inputs 32mA Output andlt;10ns Speed Low Power Hysteresis Noise Immunity AEC-Q100 andamp; Tiny SOIC-14 Package andnbsp; Features andbull; Latch-up ... Czytaj więcej

2025-09-18 17:57:48

SN65HVD888DR 3.3V CAN SIC Transceiver with 8Mbps Speed Low EMI Standby Mode Wide Temp Range High ESD Protection AEC-Q100 Qualified and Robust Fault Tolerance
Kontakt

SN65HVD888DR 3.3V CAN SIC Transceiver with 8Mbps Speed Low EMI Standby Mode Wide Temp Range High ESD Protection AEC-Q100 Qualified and Robust Fault Tolerance andnbsp; Features andbull; Exceeds requirements of ... Czytaj więcej

2025-09-18 17:57:41

SSM3K361R,LF Tranzystor MOSFET N-kanał 20V 3A z ultra niskim RDS(on) 40mΩ w obudowie SOT-23 Wysoka gęstość mocy Doskonała wydajność Szybkie przełączanie i sterowanie poziomem logicznym dla kompaktowych konstrukcji
Kontakt

SSM3K361R,LF N-Channel 20V 3A MOSFET z ultra niskim 40mΩ RDS ((on) SOT-23 Pakiet Wysoka gęstość mocy Wyższa wydajność Szybkie przełączanie i sterowanie poziomem logiki dla kompaktowych konstrukcji Cechy ... Czytaj więcej

2025-09-09 17:34:12

SN74LVC1T45DBVR Jednobitny dwustronny tłumacz poziomu napięcia z automatycznym sterowaniem kierunkiem 1.65V do 5.5V Wysokiej prędkości Niska moc Mały pakiet i napęd wyjściowy 32mA
Kontakt

SN74LVC1T45DBVR Pojedynczy, Jednobitowy Tłumacz Poziomu Napięcia z Dwoma Zasilaniami i Automatyczną Kontrolą Kierunku, 1,65V do 5,5V, Wysoka Prędkość, Niskie Zasilanie, Mała Obudowa i Prąd Wyjściowy 32mA ... Czytaj więcej

2025-09-09 17:34:07

SN65HVD3082EDR 3.3V CAN Transceiver 1Mbps Prędkość Niska Moc Ochrona IEC-ESD Tolerancja błędów Szeroki zakres temperatur RS-485 Kompatybilna i solidna konstrukcja autobusów
Kontakt

SN65HVD3082EDR 3,3V Transceiver CAN 1 Mb/s Niska moc Ochrona IEC-ESD Odporność na błędy Szeroki zakres temperatur Kompatybilny z RS-485 i solidna konstrukcja magistrali andnbsp; Cechy andbull; Spełnia lub ... Czytaj więcej

2025-09-09 17:34:02

SMF05C.TCT 5-kanałowa matryca zabezpieczeń ESD o niskiej pojemności Zgodność z IEC 61000-4-2 Napięcie znamionowe 5V Bardzo mała obudowa i konstrukcja oszczędzająca miejsce do ochrony szybkich linii danych
Kontakt

SMF05C.TCT 5-kanałowa matryca zabezpieczeń ESD o niskiej pojemności, zgodna z IEC 61000-4-2, napięcie znamionowe 5V, ultramały pakiet i konstrukcja oszczędzająca miejsce do ochrony szybkich linii danych andnbsp... Czytaj więcej

2025-09-09 17:33:57

SI2304DS, tranzystor MOSFET N-kanałowy 20V 3,7A z ultra niskim RDS(on) 45mΩ w obudowie SOT-23, wysoka wydajność, ulepszone zarządzanie energią i sterowanie bramką na poziomie logicznym dla konstrukcji o ograniczonej przestrzeni
Kontakt

SI2304DS, 215 N-kanałowy tranzystor MOSFET 20V 3.7A z ultra-niskim RDS(on) 45mandOmega; w obudowie SOT-23. Wysoka wydajność, ulepszone zarządzanie energią i sterowanie bramką na poziomie logicznym dla ... Czytaj więcej

2025-09-09 17:33:51

REG1117-3.3 Ultra-Low Dropout Wysokiej Dokładności Regulator Napięcia 3.3V z Ograniczeniem Prądu Wyjściowego 1A, Zabezpieczeniem Termicznym i Włącznikiem w Miniaturowych Obudowach
Kontakt

REG1117-3.3 Ultra-Low Dropout Wysokiej Dokładności 3.3V Regulator Napięcia z Ograniczeniem Prądu Wyjściowego 1A, Zabezpieczeniem Termicznym i Włącznikiem w Miniaturowych Obudowach andnbsp; Cechy WERSJE STAŁE I ... Czytaj więcej

2025-09-09 17:33:44

OPA353NA/3K Szybki wzmacniacz operacyjny CMOS 5,5 V Rail-to-Rail I/O o niskim poziomie szumów, niskim poborze mocy, ultramałych rozmiarach SOT23-5, szerokim paśmie dla precyzyjnych zastosowań
Kontakt

OPA353NA/3K Szybki wzmacniacz operacyjny CMOS I/O Rail-to-Rail 5,5 V z niskim poziomem szumów, niskim poborem mocy, ultramałym SOT23-5, szerokim pasmem dla precyzyjnych zastosowań andnbsp; Cechy WEJŚCIE RAIL-TO... Czytaj więcej

2025-09-09 17:33:40

OPA192IDR Precyzyjny wzmacniacz operacyjny z przesunięciem 25μV, dryftem 0.2μV/°C, pasmem 10MHz, GBW 20V/μs SR, szumem 1/f 1.1kHz, wejściem CMOS RRO, prądem polaryzacji 2.2nA, obudowa SOIC-8
Kontakt

OPA192IDR Precyzyjny wzmacniacz operacyjny z przesunięciem 25andmu;V, dryft 0,2andmu;V/anddeg;C, 10MHz GBW, 20V/andmu;S SR, 1,1kHz szumu 1/f, wejście CMOS RRO, Ib 2,2nA, obudowa SOIC-8 andnbsp; Cechy andbull; ... Czytaj więcej

2025-09-09 17:33:36