logo
TOP to profesjonalny dystrybutor komponentów elektronicznych w Chinach.

Oferujemy kompleksowe rozwiązanie, od modułów komunikacyjnych, anten, PCB, PCBA i wszystkich komponentów do PCB Bom.

Dom
Produkty
O nas
Wycieczka po fabryce
Kontrola jakości
Skontaktuj się z nami
Poprosić o wycenę
Dom Produkty

Moduł mocy IGBT

Chiny TOP Electronic Industry Co., Ltd. Certyfikaty
Chiny TOP Electronic Industry Co., Ltd. Certyfikaty
Doskonały produkt, dobra jakość, konkurencyjna cena, profesjonalna obsługa, z 10-letnią współpracą, teraz stajemy się dobrymi przyjaciółmi.

—— Ronald z Boilvii

Jest bardzo miło znaleźć TOP jako naszego partnera w Chinach, tutaj możemy uzyskać najlepszy produkt i usługę, zawsze stawiają klienta na pierwszym miejscu.

—— Carlos - z Argentyny

Jestem bardzo zadowolony ze wszystkich twoich usług. To naprawdę dobry zespół! dzięki kompleksowej ofercie rozwiązań pomóż nam zaoszczędzić wiele czasu i pieniędzy

—— Giancarlo - z Włoch

Im Online Czat teraz

Moduł mocy IGBT

(91)
Chiny FF75R12RT4 1200V 75A Moduł IGBT Niska Vce(sat) Wysoka Odporność na Zwarcie Niskie Straty Przełączania Wysoka Izolacja Do Napędów Przemysłowych i Falowników UPS fabryka

FF75R12RT4 1200V 75A Moduł IGBT Niska Vce(sat) Wysoka Odporność na Zwarcie Niskie Straty Przełączania Wysoka Izolacja Do Napędów Przemysłowych i Falowników UPS

FF75R12RT4 1200V 75A Moduł IGBT Niska Vce(sat) Wysoka Odporność na Zwarcie Niskie Straty Przełączania Wysoka Izolacja Dla Napędów Przemysłowych i Falowników UPS Cechy Standardowa Moc Znamionowa: 1200V / 75A ... Czytaj więcej
2025-12-19 17:44:45
Chiny SK70KQ16 1600V 70A Szybki moduł IGBT Niskie Vce (sat) 2,3V Szybkie wyłączenie Miękkie diody odzysku Wysoka temperatura 150°C Niska utrata Wysoka gęstość mocy Dla kompaktowych UPS i inwerterów fabryka

SK70KQ16 1600V 70A Szybki moduł IGBT Niskie Vce (sat) 2,3V Szybkie wyłączenie Miękkie diody odzysku Wysoka temperatura 150°C Niska utrata Wysoka gęstość mocy Dla kompaktowych UPS i inwerterów

SK70KQ16 1600V 70A Szybki moduł IGBT Niskie Vce (sat) 2,3V Szybkie wyłączenie Miękkie diody odzysku Wysoka temperatura 150°C Niska utrata Wysoka gęstość mocy Dla kompaktowych UPS i inwerterów Cechy Kompaktny ... Czytaj więcej
2025-12-18 18:25:15
Chiny SEMIX341D16S 1600 V 450 A Moduł półmostkowy IGBT Niskie Vce (sat) Szybkie przełączanie Dioda miękkiego odzyskiwania Wysoka temperatura 175 ° C Niskostratna klasa przemysłowa do UPS i falowników fotowoltaicznych fabryka

SEMIX341D16S 1600 V 450 A Moduł półmostkowy IGBT Niskie Vce (sat) Szybkie przełączanie Dioda miękkiego odzyskiwania Wysoka temperatura 175 ° C Niskostratna klasa przemysłowa do UPS i falowników fotowoltaicznych

SEMIX341D16S 1600 V 450 A Moduł półmostkowy IGBT Niskie Vce (sat) Szybkie przełączanie Dioda miękkiego odzyskiwania Wysoka temperatura 175 ° C Niskostratna klasa przemysłowa do UPS i falowników fotowoltaicznych ... Czytaj więcej
2025-12-18 18:25:12
Chiny NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET Module Low Rds ((on) 3.3mΩ Szybkie przełączanie Wysokiej częstotliwości Niska strata Wysoka gęstość mocy Stopień przemysłowy Dla falowników fotowoltaicznych i napędów silnikowych fabryka

NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET Module Low Rds ((on) 3.3mΩ Szybkie przełączanie Wysokiej częstotliwości Niska strata Wysoka gęstość mocy Stopień przemysłowy Dla falowników fotowoltaicznych i napędów silnikowych

NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET Module Low Rds ((on) 3.3mΩ Szybkie przełączanie Wysokiej częstotliwości Niska strata Wysoka gęstość mocy Stopień przemysłowy Dla falowników fotowoltaicznych i napędów ... Czytaj więcej
2025-12-18 18:25:09
Chiny NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET Moduł Niskie Rds ((on) 11mΩ Szybkie przełączanie Wysokiej częstotliwości Wysoka temperatura 175°C Niska strata Stopień przemysłowy dla napędów słonecznych i przemysłowych fabryka

NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET Moduł Niskie Rds ((on) 11mΩ Szybkie przełączanie Wysokiej częstotliwości Wysoka temperatura 175°C Niska strata Stopień przemysłowy dla napędów słonecznych i przemysłowych

NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET Module Low Rds ((on) 11mΩ Fast Switching High Frequency High Temperature 175°C Low Loss Industrial Grade dla napędów słonecznych i przemysłowych Cechy Wymiary zgodnie z DIN 43 ... Czytaj więcej
2025-12-18 18:25:07
Chiny NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Niski Rds(on) 18mΩ Szybkie Przełączanie Wysoka Częstotliwość Wysoka Wydajność Solidna Wydajność Obudowa TO-247 Dla Serwerów SMPS i Napędów Silników fabryka

NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Niski Rds(on) 18mΩ Szybkie Przełączanie Wysoka Częstotliwość Wysoka Wydajność Solidna Wydajność Obudowa TO-247 Dla Serwerów SMPS i Napędów Silników

NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Niskie Rds ((on) 18mΩ Szybkie przełączanie wysokiej częstotliwości Wysoka wydajność Robustna wydajność TO-247 Pakiet dla serwerów SMPS i napędów silników Cechy VDS = 60V,ID = 50A RDS ... Czytaj więcej
2025-12-18 18:25:04
Chiny MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Moduł pół mostkowy Niskie Rds ((on) Szybkie przełączanie Wysokiej częstotliwości Wysoka temperatura Praktyka Niska Strata Klasy przemysłowej Dla PV i UPS fabryka

MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Moduł pół mostkowy Niskie Rds ((on) Szybkie przełączanie Wysokiej częstotliwości Wysoka temperatura Praktyka Niska Strata Klasy przemysłowej Dla PV i UPS

MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Moduł pół mostkowy Niskie Rds ((on) Szybkie przełączanie Wysokiej częstotliwości Wysoka temperatura Praktyka Niska Strata Klasy przemysłowej Dla PV i UPS Cechy D IGBT CHIP (... Czytaj więcej
2025-12-18 18:25:02
Chiny MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET Moduł zasilania 400V Niskie Rds ((on) 1.6mΩ Wysoka wydajność Duża prędkość przełączania Płyn chłodzony w klasie motoryzacyjnej dla inwerterów trakcyjnych xEV fabryka

MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET Moduł zasilania 400V Niskie Rds ((on) 1.6mΩ Wysoka wydajność Duża prędkość przełączania Płyn chłodzony w klasie motoryzacyjnej dla inwerterów trakcyjnych xEV

MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET Moduł zasilania 400V Niskie Rds ((on) 1.6mΩ Wysoka wydajność Duża prędkość przełączania Płyn chłodzony w klasie motoryzacyjnej dla inwerterów trakcyjnych xEV Cechy Ultraszybki ... Czytaj więcej
2025-12-18 18:24:59
Chiny IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Niski Rds(on) 65mΩ Szybkie Przełączanie Wysoka Częstotliwość Wytrzymała Dioda Ciała Wysoka Temperatura Pracy Obudowa TO-264 fabryka

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Niski Rds(on) 65mΩ Szybkie Przełączanie Wysoka Częstotliwość Wytrzymała Dioda Ciała Wysoka Temperatura Pracy Obudowa TO-264

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Low Rds ((on) 65mΩ Szybkie przełączanie wysokiej częstotliwości Robust Body Diode High Temp Operation TO-264 Package Cechy Międzynarodowy pakiet standardów miniBLOC, z izolacją ... Czytaj więcej
2025-12-18 18:24:57
Chiny FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 IGBT Moduł Wysoka Gęstość Moc Niska Vce ((sat) Szybkie Przełączanie Wysokiej Częstotliwości Robustna SOA Do napędów przemysłowych i UPS fabryka

FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 IGBT Moduł Wysoka Gęstość Moc Niska Vce ((sat) Szybkie Przełączanie Wysokiej Częstotliwości Robustna SOA Do napędów przemysłowych i UPS

FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 IGBT Moduł Wysoka Gęstość Moc Niska Vce ((sat) Szybkie Przełączanie Wysokiej Częstotliwości Robustna SOA Do napędów przemysłowych i UPS Cechy Diody powiększone do pracy ... Czytaj więcej
2025-12-18 18:24:53
Page 7 of 10|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >|