IS61WV102416BLL-10TLI 1Mx16 Wysokiej Prędkości 10ns SRAM 3.3V Operacja Niska Moc Przemysłowa Temperatura (-40°C do +85°C) 48-kulaty pakiet BGA Operacja asynchroniczna Wysoka niezawodność Przechowywanie danych

IS61WV102416BLL-10TLI 1Mx16 Szybka pamięć SRAM 10ns 3,3V, niskie zużycie energii, temperatura przemysłowa (-40°C do +85°C), obudowa BGA 48-kulowa, działanie asynchroniczne, wysoka niezawodność, zachowanie danych

CECHY

• Szybkie czasy dostępu: 8, 10, 20 ns

• Wysoka wydajność, proces CMOS o niskim poborze mocy

• Wiele centralnych pinów zasilania i masy dla większej odporności na szumy

• Łatwa rozbudowa pamięci z opcjami CE i OE

• Wyłączenie zasilania CE

• W pełni statyczne działanie: nie wymaga zegara ani odświeżania

• Wejścia i wyjścia kompatybilne z TTL

• Pojedyncze zasilanie

  Vdd od 1,65 V do 2,2 V (IS61WV102416ALL)

  prędkość = 20ns dla

  Vdd od 1,65 V do 2,2 V Vdd od 2,4 V do 3,6 V (IS61/64WV102416BLL)

  prędkość = 10ns dla Vdd od 2,4 V do 3,6 V

  prędkość = 8ns dla Vdd 3,3 V + 5%

• Dostępne obudowy:

  – miniBGA 48-kulowa (9 mm x 11 mm)

  – TSOP 48-pinowy (typ I)

• Obsługa temperatury przemysłowej i motoryzacyjnej

• Dostępne bez ołowiu

• Kontrola danych dla górnego i dolnego bajtu

Zastosowania

1: Automatyka przemysłowa (PLC, robotyka)

2: Elektronika motoryzacyjna (ECU, ADAS)

3: Sprzęt sieciowy (routery, przełączniki)

4: Systemy wbudowane (przetwarzanie audio/wideo, lotnictwo)

5: Buforowanie/pamięć podręczna danych o dużej prędkości

Opis

ISSI IS61WV102416ALL/BLL i IS64WV102416BLL to szybkie, 16-megabitowe statyczne pamięci RAM zorganizowane jako 1024K słów po 16 bitów. Jest produkowany przy użyciu wysokowydajnej technologii CMOS firmy ISSI. Ten wysoce niezawodny proces w połączeniu z innowacyjnymi technikami projektowania obwodów zapewnia wysoką wydajność i niskie zużycie energii.

Gdy CE jest WYSOKI (wyłączony), urządzenie przechodzi w tryb czuwania, w którym rozpraszanie mocy można zmniejszyć za pomocą poziomów wejściowych CMOS.

Łatwą rozbudowę pamięci zapewnia użycie wejść Chip Enable i Output Enable, CE i OE. Aktywne NISKIE Write Enable (WE) kontroluje zarówno zapis, jak i odczyt pamięci. Bajt danych umożliwia dostęp do górnego bajtu (UB) i dolnego bajtu (LB).

Urządzenie jest pakowane w standardową obudowę JEDEC 48-pin TSOP typu I i mini BGA 48-pin (9 mm x 11 mm).

INFORMACJE

Rysunek

Nasza przewaga:telefony, PDA, komputery przenośne

• Produkty wysokiej jakości --- nasze oferty są w 100% nowe i oryginalne, ROHS
• Konkurencyjna cena --- dobre kanały zakupów w dobrej cenie.
• Profesjonalna obsługa --- ścisłe testy jakości przed wysyłką i doskonała obsługa posprzedażna po zakupie.
• Odpowiedni zapas --- Z pomocą naszego silnego zespołu zakupowego,
• Szybka dostawa --- wysyłamy towar w ciągu 1-3 dni roboczych po potwierdzeniu płatności.

upewnij się, że spełnisz swoje potrzeby w zakresie wszystkich rodzajów komponentów.^_^


Lista produktów
Dostarczamy serię komponentów elektronicznych, pełną gamę półprzewodników, komponentów aktywnych i pasywnych. Możemy pomóc Ci uzyskać wszystko dla BOM PCB, jednym słowem, możesz uzyskać tutaj kompleksowe rozwiązanie,


Oferty obejmują:
Układ scalony, układy scalone pamięci, dioda, tranzystor, kondensator, rezystor, warystor, bezpiecznik, trymer i potencjometr, transformator, bateria, kabel, przekaźnik, przełącznik, złącze, listwa zaciskowa, kryształ i oscylator, cewka indukcyjna, czujnik, transformator, sterownik IGBT, LED, LCD, konwerter, PCB (płytka drukowana), PCBA (montaż PCB)

Silne marki:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK itp.