Dom Produkty Elementy układu scalonego

Podwójny kanał N+P IRF7420TRPBF ±5.3A 20V SOIC-8 0.045Ω Rds(on) 1.8V Logika Poziomu Szybkie Przełączanie Wysoka Wydajność Zarządzanie Energią Oszczędność Miejsca

Wszystkie produkty

Moduł 4G 5G (37)

Moduł komunikacji bezprzewodowej (38)

Moduł odbiornika GPS (11)

Zintegrowane moduły zasilania (4)

Moduł mocy IGBT (24)

Elementy układu scalonego (523)

Pasywne komponenty elektroniczne (80)

Antena GPS o wysokim zysku (14)

Antena komunikacji bezprzewodowej (30)

Combo Antena (14)

Antenna niskiej częstotliwości (5)

Antena telewizji cyfrowej (7)

Kabel koncentryczny RF (9)

Złącze koncentryczne RF (10)

Montaż płyt PCB (5)

Złącza bloków zaciskowych (16)

Chiny TOP Electronic Industry Co., Ltd. Certyfikaty

Doskonały produkt, dobra jakość, konkurencyjna cena, profesjonalna obsługa, z 10-letnią współpracą, teraz stajemy się dobrymi przyjaciółmi.

—— Ronald z Boilvii

Jest bardzo miło znaleźć TOP jako naszego partnera w Chinach, tutaj możemy uzyskać najlepszy produkt i usługę, zawsze stawiają klienta na pierwszym miejscu.

—— Carlos - z Argentyny

Jestem bardzo zadowolony ze wszystkich twoich usług. To naprawdę dobry zespół! dzięki kompleksowej ofercie rozwiązań pomóż nam zaoszczędzić wiele czasu i pieniędzy

—— Giancarlo - z Włoch

Im Online Czat teraz

Podwójny kanał N+P IRF7420TRPBF ±5.3A 20V SOIC-8 0.045Ω Rds(on) 1.8V Logika Poziomu Szybkie Przełączanie Wysoka Wydajność Zarządzanie Energią Oszczędność Miejsca

Duży Obraz : Podwójny kanał N+P IRF7420TRPBF ±5.3A 20V SOIC-8 0.045Ω Rds(on) 1.8V Logika Poziomu Szybkie Przełączanie Wysoka Wydajność Zarządzanie Energią Oszczędność Miejsca

Szczegóły Produktu:

Miejsce pochodzenia:	Chiny
Nazwa handlowa:	Infineon
Orzecznictwo:	CE, GCF, ROHS
Numer modelu:	IRF7420TRPBF

Zapłata:

Minimalne zamówienie:	1
Cena:	negotiable
Szczegóły pakowania:	Zapakowany najpierw w oryginalną tacę, a potem karton, w ostatnim torbie bąbelkowym do opakowania ze
Czas dostawy:	3-5 dni roboczych po otrzymaniu płatności
Zasady płatności:	T/t, Western Union,
Możliwość Supply:	1000pcs miesięcznie

Kontakt

Szczegółowy opis produktu

Funkcjonować:	Zakład, przesuwanie	Konfiguracja wyjściowa:	Pozytywny lub negatywny
Topologia:	Buck, wzmocnienie	Typ wyjściowy:	Nastawny
Liczba wyjść:	1
Podkreślić:	Podwójny MOSFET kanału N+P 20V SOIC-8 , Tranzystor MOSFET mocy z szybkim przełączaniem i logiką poziomu , Wysokowydajny układ sterowania energią

Dwukrotny kanał N+P IRF7420TRPBF ±5.3A 20V SOIC-8 MOSFET

Główne specyfikacje

Funkcja	W górę, w dół.
Konfiguracja wyjścia	Pozytywne lub negatywne
Topologia	Buck, podnieś.
Rodzaj wyjścia	Zmiennik
Liczba wyników	1

Opis produktu

Ten HEXFET® Power MOSFET posiada podwójną konfigurację kanału N+P z nominalnym prądem ±5,3A i napięciem 20V w pakiecie SOIC-8.oferuje szybkie przełączanie i wysoką wydajność dla aplikacji zarządzania energią przy jednoczesnej oszczędności miejsca.

Cechy

Technologia zaawansowanych procesów
Ultra niski opór
Temperatura pracy 175°C
Szybkie przełączanie
Powtarzająca się lawina dopuszczalna do Tjmax
Bez ołowiu

Wnioski

Moduły zarządzania energią (PMIC):Używane w płytkach głównych, serwerach, sprzęcie sieciowym i przenośnej elektroniczności jako przełączniki obciążenia oraz w konwerterach DC-DC.
Napęd i sterowanie silnikiem:Idealny do napędzania silników prądu stałego o małej i średniej mocy w robocie i sprzęcie automatycznym.
Urządzenia zasilane bateriami:Używane w smartfonach, tabletach i urządzeniach medycznych do ochrony i zarządzania bateriami.
Komutacja sygnału i wielokrotność:Stosowany do sterowania sygnałami w sprzęcie badawczym i systemach pozyskiwania danych.

Specyfikacje techniczne

Kategoria	Produkty półprzewodnikowe dyskretne>Transistory>FET, MOSFET
Producent	Infineon Technologies
Zestaw	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i rolka (TR) Taśma cięcia (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieprzydatne
Rodzaj FET	P-kanał
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
napięcie odpustowe do źródła (Vdss)	12 V
Prąd - ciągły odpływ (Id) @ 25°C	11.5A (Tc)
Napięcie napędu (max Rds On, min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 11,5A, 4,5 V
Vgs(th) (Max) @ Id	900 mV @ 250 μA
Pojemność bramy (Qg) (maksymalnie) @ Vgs	38 nC @ 4,5 V
Vgs (maksymalnie)	± 8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (Max) @ Vds	3529 pF @ 10 V
Rozpraszanie mocy (maksymalnie)	2.5W (Ta)
Temperatura pracy	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu	Powierzchnia
Zestaw urządzeń dostawcy	8-SO
Opakowanie / Pudełko	8-SOIC (0,154", szerokość 3,90 mm)
Numer produktu podstawowego	IRF7420

Rysunki produktu

Nasze korzyści

Produkty wysokiej jakości - 100% nowe i oryginalne, zgodne z ROHS
Konkurencyjne ceny - doskonałe kanały zakupów przy dobrych cenach
Profesjonalna obsługa - rygorystyczne badania jakości i doskonałe wsparcie posprzedażne
Odpowiednie zapasy - wspierane przez silny zespół zakupowy
Szybka dostawa - wysyłka w ciągu 1-3 dni roboczych od potwierdzenia płatności

Możemy spełnić Twoje potrzeby w zakresie wszystkich rodzajów komponentów elektronicznych.

Portfel produktów

Dostarczamy pełną gamę komponentów elektronicznych, w tym półprzewodników, komponentów aktywnych i biernego.

Dostępne elementy

Obwody zintegrowane
Układy pamięci centralnej
Diody
Transistory
Pozostałe urządzenia
Pozostałe
Warystory
Złotki
Trimmery i potencjometry
Elektryczne urządzenia
Akumulatory
Kable
Relaje
Przełączniki
Złącza
Bloki końcowe
Kryształy i oscylatory
Induktory
Czujniki
Sterowniki IGBT
LED, LCD
Konwertory
PCB (karty drukowane)
PCBA (zespół PCB)

Silne portfolio marek

Mikrochip

ATMEL

Włączony

Intersil

Winbond

Vishay

Infineon

/Fairchild

OMRON

YAGEO

Etykietka:

Osoba kontaktowa: Mrs. Natasha

Tel: 86-13723770752

Faks: 86-755-82815220

Inne produkty

LM3410YSD/NOPB 1,6MHz przetwornica obniżająca (buck) 2,7-5,5V wejście 750mA wyjście 92% sprawności Obudowa SOT-23-5 Wewnętrzny przełącznik 1μA wyłączenie -40°C do +125°C dla urządzeń przenośnych