Dom Produkty Elementy układu scalonego

Podwójny kanał N+P IRF7420TRPBF ±5.3A 20V SOIC-8 0.045Ω Rds(on) 1.8V Logika Poziomu Szybkie Przełączanie Wysoka Wydajność Zarządzanie Energią Oszczędność Miejsca

Wszystkie produkty

Moduł 4G 5G (37)

Moduł komunikacji bezprzewodowej (38)

Moduł odbiornika GPS (11)

Zintegrowane moduły zasilania (4)

Moduł mocy IGBT (58)

Elementy układu scalonego (533)

Pasywne komponenty elektroniczne (91)

Antena GPS o wysokim zysku (14)

Antena komunikacji bezprzewodowej (30)

Combo Antena (14)

Antenna niskiej częstotliwości (5)

Antena telewizji cyfrowej (7)

Kabel koncentryczny RF (9)

Złącze koncentryczne RF (10)

Montaż płyt PCB (5)

Złącza bloków zaciskowych (16)

Chiny TOP Electronic Industry Co., Ltd. Certyfikaty

Doskonały produkt, dobra jakość, konkurencyjna cena, profesjonalna obsługa, z 10-letnią współpracą, teraz stajemy się dobrymi przyjaciółmi.

—— Ronald z Boilvii

Jest bardzo miło znaleźć TOP jako naszego partnera w Chinach, tutaj możemy uzyskać najlepszy produkt i usługę, zawsze stawiają klienta na pierwszym miejscu.

—— Carlos - z Argentyny

Jestem bardzo zadowolony ze wszystkich twoich usług. To naprawdę dobry zespół! dzięki kompleksowej ofercie rozwiązań pomóż nam zaoszczędzić wiele czasu i pieniędzy

—— Giancarlo - z Włoch

Im Online Czat teraz

Podwójny kanał N+P IRF7420TRPBF ±5.3A 20V SOIC-8 0.045Ω Rds(on) 1.8V Logika Poziomu Szybkie Przełączanie Wysoka Wydajność Zarządzanie Energią Oszczędność Miejsca

Duży Obraz : Podwójny kanał N+P IRF7420TRPBF ±5.3A 20V SOIC-8 0.045Ω Rds(on) 1.8V Logika Poziomu Szybkie Przełączanie Wysoka Wydajność Zarządzanie Energią Oszczędność Miejsca

Szczegóły Produktu:

Miejsce pochodzenia:	Chiny
Nazwa handlowa:	Infineon
Orzecznictwo:	CE, GCF, ROHS
Numer modelu:	IRF7420TRPBF

Zapłata:

Minimalne zamówienie:	1
Cena:	negotiable
Szczegóły pakowania:	Zapakowany najpierw w oryginalną tacę, a potem karton, w ostatnim torbie bąbelkowym do opakowania ze
Czas dostawy:	3-5 dni roboczych po otrzymaniu płatności
Zasady płatności:	T/t, Western Union,
Możliwość Supply:	1000pcs miesięcznie

Kontakt

Szczegółowy opis produktu

Funkcjonować:	Zakład, przesuwanie	Konfiguracja wyjściowa:	Pozytywny lub negatywny
Topologia:	Buck, wzmocnienie	Typ wyjściowy:	Nastawny
Liczba wyjść:	1
Podkreślić:	Podwójny MOSFET kanału N+P 20V SOIC-8 , Tranzystor MOSFET mocy z szybkim przełączaniem i logiką poziomu , Wysokowydajny układ sterowania energią

Podwójny N+P Channel IRF7420TRPBF ±5.3A 20V SOIC-8 MOSFET

Kluczowe specyfikacje

Funkcja	Step-Up, Step-Down
Konfiguracja wyjścia	Dodatnie lub Ujemne
Topologia	Buck, Boost
Typ wyjścia	Regulowany
Liczba wyjść	1

Opis produktu

Ten tranzystor MOSFET HEXFET® charakteryzuje się podwójną konfiguracją kanałów N+P z prądem znamionowym ±5,3A i napięciem 20V w obudowie SOIC-8. Z ultra-niskim Rds(on) 0,045Ω i poziomem logicznym 1,8V, oferuje szybkie przełączanie i wysoką wydajność dla zastosowań zarządzania energią, jednocześnie oszczędzając miejsce.

Cechy

Zaawansowana technologia procesowa
Ultra niski opór w stanie włączenia
Temperatura pracy 175°C
Szybkie przełączanie
Powtarzalna lawina do Tjmax
Bezołowiowy

Zastosowania

Moduły zarządzania energią (PMIC): Używane w płytach głównych, serwerach, sprzęcie sieciowym i elektronice przenośnej jako przełączniki obciążenia i w przetwornicach DC-DC.
Napęd i sterowanie silnikiem: Idealny do napędzania małych i średnich silników prądu stałego w robotyce i zautomatyzowanym sprzęcie.
Urządzenia zasilane bateryjnie: Używane w smartfonach, tabletach i urządzeniach medycznych do ochrony i zarządzania baterią.
Przełączanie sygnałów i multipleksowanie: Stosowane do routingu sygnałów w sprzęcie testowym i systemach akwizycji danych.

Specyfikacje techniczne

Kategoria	Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory > FET, MOSFET
Producent	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Niedostępny
Typ FET	P-Channel
Technologia	MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	12 V
Prąd - ciągły dren (Id) @ 25°C	11.5A (Tc)
Napięcie bramki (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14mOhm @ 11.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (Max) @ Vgs	38 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (Max) @ Vds	3529 pF @ 10 V
Rozpraszanie mocy (Max)	2.5W (Ta)
Temperatura pracy	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Obudowa urządzenia dostawcy	8-SO
Obudowa / Obudowa	8-SOIC (0.154", 3.90mm Szerokość)
Numer produktu bazowego	IRF7420

Rysunki produktu

Nasze zalety

Produkty wysokiej jakości - 100% nowe i oryginalne, zgodne z ROHS
Konkurencyjne ceny - doskonałe kanały zakupowe z dobrymi cenami
Profesjonalna obsługa - ścisłe testy jakości i doskonałe wsparcie posprzedażowe
Odpowiedni zapas - wspierany przez silny zespół zakupowy
Szybka dostawa - wysyłka w ciągu 1-3 dni roboczych po potwierdzeniu płatności

Możemy zaspokoić Twoje potrzeby w zakresie wszelkiego rodzaju komponentów elektronicznych.

Portfolio produktów

Dostarczamy pełną gamę komponentów elektronicznych, w tym półprzewodniki, komponenty aktywne i pasywne. Zapewniamy kompleksowe rozwiązania dla wszystkich wymagań BOM PCB.

Dostępne komponenty

Układy scalone
Układy scalone pamięci
Diody
Tranzystory
Kondensatory
Rezystory
Waristory
Bezpieczniki
Trymery i potencjometry
Transformatory
Baterie
Kable
Przekaźniki
Przełączniki
Złącza
Listwy zaciskowe
Kryształy i oscylatory
Induktory
Czujniki
Sterowniki IGBT
Diody LED, LCD
Konwertery
PCB (płytki drukowane)
PCBA (montaż PCB)

Silne portfolio marek

Microchip

ATMEL

Intersil

Winbond

Vishay

Infineon

FAIRCHILD

OMRON

YAGEO

Etykietka:

Osoba kontaktowa: Mrs. Natasha

Tel: 86-13723770752

Faks: 86-755-82815220

Inne produkty

TLV6001IDBVR 1,8V do 5,5V Wzmacniacz Operacyjny Rail-to-Rail Niska Moc 10µA 1kHz GBW Mikro-obudowa SOT-23 Dla Czujników Zasilanych Bateryjnie i Urządzeń Przenośnych