FM24CL64B-GTR 64Kb szeregowa pamięć F-RAM o nieograniczonej trwałości, 150ns, bez opóźnienia zapisu, interfejs I2C 1MHz, 10^14 cykli odczytu/zapisu, niskie zużycie energii, zasilanie 3.3V i 40-letnie przechowywanie danych

• 64-Kbit ferroelektryczna pamięć o dostępie swobodnym (F-RAM) zorganizowana jako 8K × 8
• Wysoka wytrzymałość 100 bilionów (10¹⁴) odczytów/zapisów
• 151-letnie przechowywanie danych
• Brak opóźnień™ w zapisie
• Szybki 2-przewodowy interfejs szeregowy (I2C) o częstotliwości do 1 MHz
• Niskie zużycie energii: 100μA (typ) prądu czynnego
• Napięcie robocze: VDD = 2,7 V do 3,65 V
• Zakres temperatur przemysłowych: -40℃ do +85℃
• Dostępne w obudowach 8-pin SOIC i 8-pin DFN
• Zgodność z RoHS

FM24CL64B to 64-Kbit pamięć nieulotna wykorzystująca zaawansowany proces ferroelektryczny. Ferroelektryczna pamięć o dostępie swobodnym lub F-RAM jest nieulotna i wykonuje odczyty i zapisy podobnie do pamięci RAM. Zapewnia niezawodne przechowywanie danych przez 151 lat, eliminując jednocześnie złożoność, obciążenia i problemy z niezawodnością na poziomie systemu, powodowane przez EEPROM i inne pamięci nieulotne.

W przeciwieństwie do EEPROM, FM24CL64B wykonuje operacje zapisu z prędkością magistrali. Nie występują opóźnienia zapisu. Dane są zapisywane do tablicy pamięci natychmiast po pomyślnym przesłaniu każdego bajtu do urządzenia. Następny cykl magistrali może rozpocząć się bez konieczności sondowania danych.

• Produkty wysokiej jakości — nasze oferty są w 100% nowe i oryginalne, ROHS
• Konkurencyjna cena — dobre kanały zakupów w dobrej cenie
• Profesjonalna obsługa — ścisłe testy jakości przed wysyłką i doskonała obsługa posprzedażna
• Odpowiedni zapas — Z pomocą naszego silnego zespołu zakupowego
• Szybka dostawa — wysyłamy towar w ciągu 1-3 dni roboczych po potwierdzeniu płatności

Dostarczamy pełną gamę komponentów elektronicznych, w tym:

• Układy scalone
• Układy scalone pamięci
• Diody, Tranzystory
• Kondensatory, Rezystory
• Złącza, Przełączniki
• I wiele innych komponentów