Dom Produkty Elementy układu scalonego

CSD17573Q5BT 40V N-Channel NexFET™ MOSFET z RDS(on) 1,7 mΩ, prąd 75A, temperatura 175°C, niski Qg, obudowa SON 5mm×6mm, kwalifikacja AEC-Q101 i konstrukcja bezołowiowa

Wszystkie produkty

Moduł 4G 5G (37)

Moduł komunikacji bezprzewodowej (38)

Moduł odbiornika GPS (11)

Zintegrowane moduły zasilania (4)

Moduł mocy IGBT (0)

Elementy układu scalonego (204)

Pasywne komponenty elektroniczne (12)

Antena GPS o wysokim zysku (14)

Antena komunikacji bezprzewodowej (30)

Combo Antena (14)

Antenna niskiej częstotliwości (5)

Antena telewizji cyfrowej (7)

Kabel koncentryczny RF (9)

Złącze koncentryczne RF (10)

Montaż płyt PCB (5)

Złącza bloków zaciskowych (16)

Chiny TOP Electronic Industry Co., Ltd. Certyfikaty

Doskonały produkt, dobra jakość, konkurencyjna cena, profesjonalna obsługa, z 10-letnią współpracą, teraz stajemy się dobrymi przyjaciółmi.

—— Ronald z Boilvii

Jest bardzo miło znaleźć TOP jako naszego partnera w Chinach, tutaj możemy uzyskać najlepszy produkt i usługę, zawsze stawiają klienta na pierwszym miejscu.

—— Carlos - z Argentyny

Jestem bardzo zadowolony ze wszystkich twoich usług. To naprawdę dobry zespół! dzięki kompleksowej ofercie rozwiązań pomóż nam zaoszczędzić wiele czasu i pieniędzy

—— Giancarlo - z Włoch

Im Online Czat teraz

CSD17573Q5BT 40V N-Channel NexFET™ MOSFET z RDS(on) 1,7 mΩ, prąd 75A, temperatura 175°C, niski Qg, obudowa SON 5mm×6mm, kwalifikacja AEC-Q101 i konstrukcja bezołowiowa

Duży Obraz : CSD17573Q5BT 40V N-Channel NexFET™ MOSFET z RDS(on) 1,7 mΩ, prąd 75A, temperatura 175°C, niski Qg, obudowa SON 5mm×6mm, kwalifikacja AEC-Q101 i konstrukcja bezołowiowa

Szczegóły Produktu:

Place of Origin:	China
Nazwa handlowa:	Texas Instruments
Orzecznictwo:	CE, GCF, ROHS
Model Number:	CSD17573Q5BT

Zapłata:

Minimum Order Quantity:	1
Cena:	negotiable
Packaging Details:	Packed in original tray firstly ,then carton, at last Bubble bag for outer packing
Delivery Time:	3-5 working days after received the payment
Payment Terms:	T/T, Western Union,
Supply Ability:	1000pcs per month

Kontakt

Szczegółowy opis produktu

Function:	Step-Up, Step-Down	Output Configuration:	Positive or Negative
Topology:	Buck, Boost	Output Type:	Adjustable
Number of Outputs:	1
Podkreślić:	40V N-Channel NexFET MOSFET , MOSFET z RDS(on) 1 , 7 mΩ

CSD17573Q5BT 40V N-Channel NexFETTM MOSFET z 1,7mΩ RDS ((on) 75A Prąd 175°C Nominalna niska Qg 5mm×6mm SON Pakiet AEC-Q101 Kwalifikowany i bezłowiowy projekt

Cechy

• Niskie poziomy Qg i Qgd

• Ultra-Low RDS (włączony)

• Niska odporność cieplna

• Świnia

• Płytkowanie końcowe bezłowiowe

• Zgodność z RoHS

• Wolne od halogenów

• SON5-mm×6-mmPlastikowe opakowanie

Wnioski

• Synchroniczny przekształcacz węzła w punkcie obciążenia do zastosowań w sieciach, telekomunikacjach i systemach komputerowych

• Zoptymalizowane do synchronicznych zastosowań FET

Opis

Ten 0,84-mΩ, 30-V, SON 5-mm × 6-mm NexFETTM power MOSFET został zaprojektowany w celu zminimalizowania strat w aplikacjach konwersji mocy.

Informacje

Kategoria	Produkty półprzewodnikowe dyskretne Transistory FET, MOSFET Jednostkowe FET, MOSFET
Mfr	Texas Instruments
Zestaw	NexFETTM
Opakowanie	Taśma i rolka (TR) Taśma cięcia (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Rodzaj FET	N-kanał
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
napięcie odpustowe do źródła (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły odpływ (Id) @ 25°C	100A (Ta)
Napięcie napędu (max Rds On, min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	10,8 V @ 250 μA
Pojemność bramy (Qg) (maksymalnie) @ Vgs	64 nC @ 4,5 V
Vgs (maksymalnie)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (Max) @ Vds	9000 pF @ 15 V
Cecha FET	-
Rozpraszanie mocy (maksymalnie)	3.2W (Ta), 195W (Tc)
Temperatura pracy	-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Rodzaj montażu	Powierzchnia
Zestaw urządzeń dostawcy	8-VSON-CLIP (5x6)
Opakowanie / Pudełko	8-PowerTDFN
Numer produktu podstawowego	Wpływy z tytułu aktywów pochodnych

Rysunek

Nasza przewaga:

Wysokiej jakości produkty --- nasze oferty są 100% nowe i oryginalne, ROHS
Konkurencyjna cena --- dobre kanały zakupów o dobrej cenie.
Profesjonalna obsługa --- ścisłe testowanie jakości przed wysyłką i doskonała obsługa posprzedażna po zakupie.
Odpowiednie zapasy --- Z wsparciem naszego silnego zespołu zakupów,
Szybka dostawa --- wysyłamy towary w ciągu 1-3 dni roboczych po potwierdzeniu płatności.

Zapewnij się, że spełniasz wszystkie wymagania.Nie, nie.

Wykaz produktów
Zapewniamy serię komponentów elektronicznych, pełną gamę półprzewodników, aktywnych i biernego komponentów. Możemy pomóc Ci w uzyskaniu wszystkiego na potrzeby PCB.

Oferty obejmują:
Obwód zintegrowany, układy IC pamięci, diody, tranzystory, kondensatory, rezystory, varystory, bezpieczniki, trimery i potencjometry, transformatory, baterie, kable, przekaźniki, przełączniki, złącza, blok końcowy,Krystal i oscylator, Induktor, czujnik, transformator, sterownik IGBT, LED,LCD, konwerter, PCB (Broda obwodu drukowanego),PCBA (zespół PCB)

Silna marka:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK itp.

Etykietka:

Osoba kontaktowa: Mrs. Natasha

Tel: 86-13723770752

Faks: 86-755-82815220

Inne produkty

CSD25404Q3T 40V P-kanałowy tranzystor MOSFET NexFET™ z RDS(on) 8,5 mΩ, prąd 50A, temperatura pracy 175°C, niski Qg, obudowa SON 3,3mm×3,3mm, kwalifikacja AEC-Q101 i konstrukcja bezhalogenowa

Function: Step-Up, Step-Down