Dom Produkty Elementy układu scalonego

CSD17309Q3 30V N-Channel NexFETTM MOSFET z 3.6mΩ RDS ((on) 40A Prąd ciągły 175°C Rating Ultra-Low Qg 3mm×3mm SON Pakiet AEC-Q101 Kwalifikowany i wolny od Pb

Wszystkie produkty

Moduł 4G 5G (37)

Moduł komunikacji bezprzewodowej (38)

Moduł odbiornika GPS (11)

Zintegrowane moduły zasilania (4)

Moduł mocy IGBT (24)

Elementy układu scalonego (523)

Pasywne komponenty elektroniczne (80)

Antena GPS o wysokim zysku (14)

Antena komunikacji bezprzewodowej (30)

Combo Antena (14)

Antenna niskiej częstotliwości (5)

Antena telewizji cyfrowej (7)

Kabel koncentryczny RF (9)

Złącze koncentryczne RF (10)

Montaż płyt PCB (5)

Złącza bloków zaciskowych (16)

Chiny TOP Electronic Industry Co., Ltd. Certyfikaty

Doskonały produkt, dobra jakość, konkurencyjna cena, profesjonalna obsługa, z 10-letnią współpracą, teraz stajemy się dobrymi przyjaciółmi.

—— Ronald z Boilvii

Jest bardzo miło znaleźć TOP jako naszego partnera w Chinach, tutaj możemy uzyskać najlepszy produkt i usługę, zawsze stawiają klienta na pierwszym miejscu.

—— Carlos - z Argentyny

Jestem bardzo zadowolony ze wszystkich twoich usług. To naprawdę dobry zespół! dzięki kompleksowej ofercie rozwiązań pomóż nam zaoszczędzić wiele czasu i pieniędzy

—— Giancarlo - z Włoch

Im Online Czat teraz

CSD17309Q3 30V N-Channel NexFETTM MOSFET z 3.6mΩ RDS ((on) 40A Prąd ciągły 175°C Rating Ultra-Low Qg 3mm×3mm SON Pakiet AEC-Q101 Kwalifikowany i wolny od Pb

Duży Obraz : CSD17309Q3 30V N-Channel NexFETTM MOSFET z 3.6mΩ RDS ((on) 40A Prąd ciągły 175°C Rating Ultra-Low Qg 3mm×3mm SON Pakiet AEC-Q101 Kwalifikowany i wolny od Pb

Szczegóły Produktu:

Miejsce pochodzenia:	Chiny
Nazwa handlowa:	Texas Instruments
Orzecznictwo:	CE, GCF, ROHS
Numer modelu:	CSD17309Q3

Zapłata:

Minimalne zamówienie:	1
Cena:	negotiable
Szczegóły pakowania:	Zapakowany najpierw w oryginalną tacę, a potem karton, w ostatnim torbie bąbelkowym do opakowania ze
Czas dostawy:	3-5 dni roboczych po otrzymaniu płatności
Zasady płatności:	T/t, Western Union,
Możliwość Supply:	1000pcs miesięcznie

Kontakt

Szczegółowy opis produktu

Funkcjonować:	Zakład, przesuwanie	Konfiguracja wyjściowa:	Pozytywny lub negatywny
Topologia:	Buck, wzmocnienie	Typ wyjściowy:	Nastawny
Liczba wyjść:	1
Podkreślić:	30V N-kanałowy MOSFET z 3 , 6mΩ RDS (włączony) , Kwalifikowany NexFETTM MOSFET AEC-Q101

CSD17309Q3 30V N-kanałowy tranzystor MOSFET NexFETandtrade; z 3,6 mandOmega; RDS(on) 40A prądu ciągłego, temperatura 175anddeg;C, ultra-niski Qg, obudowa SON 3mmandtimes;3mm, kwalifikacja AEC-Q101 i bez ołowiu

andnbsp;

Cechyandnbsp;

andbull; Zoptymalizowany dla sterowania bramką 5V

andbull; Ultra-niski Qg i Qgd

andbull; Niska rezystancja termiczna

andbull; Oceniony pod kątem lawiny

andbull; Powłoka zacisków bez ołowiu

andbull; Zgodny z RoHS

andbull; Bez halogenów

andbull; Obudowa z tworzywa sztucznego SON 3,3mmandtimes;3,3mm

andnbsp;

Zastosowania

andbull; Notebook Point of Load

andbull; Point of Load Synchronous Buck w sieciach,

andnbsp;andnbsp; Telekomunikacji i systemach komputerowych

andnbsp;

Opis

Ten tranzystor MOSFET mocy NexFET 30 V, 4,2 m jest zaprojektowany w celu minimalizacji strat w aplikacjach konwersji mocy; i zoptymalizowany dla aplikacji sterowania bramką 5V.

andnbsp;

INFORMACJE

Kategoria	Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET	andnbsp;
Producent	Texas Instruments	andnbsp;
Seria	NexFETandtrade;	andnbsp;
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reelandreg;	andnbsp; andnbsp; andnbsp;
Status części	Aktywny	andnbsp;
Typ FET	N-kanałowy	andnbsp;
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)	andnbsp;
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V	andnbsp;
Prąd - ciągły dren (Id) @ 25anddeg;C	20A (Ta), 60A (Tc)	andnbsp;
Napięcie sterowania (Max Rds On, Min Rds On)	3V, 8V	andnbsp;
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5,4mOhm @ 18A, 8V	andnbsp;
Vgs(th) (Max) @ Id	1,7V @ 250andmicro;A	andnbsp;
Ładunek bramki (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 4,5 V	andnbsp;
Vgs (Max)	+10V, -8V	andnbsp;
Pojemność wejściowa (Ciss) (Max) @ Vds	1440 pF @ 15 V	andnbsp;
Cecha FET	-	andnbsp;
Rozpraszanie mocy (Max)	2,8W (Ta)	andnbsp;
Temperatura pracy	-55anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)	andnbsp;
Klasa	-	andnbsp;
Kwalifikacja	-	andnbsp;
Typ montażu	Montaż powierzchniowy	andnbsp;
Obudowa urządzenia dostawcy	8-VSON-CLIP (3.3x3.3)	andnbsp;
Obudowa / Obudowa	8-PowerTDFN	andnbsp;
Numer produktu bazowego	CSD17309

andnbsp;

Rysunek

andnbsp;

Nasza przewaga:

Produkty wysokiej jakości --- nasze oferty są w 100% nowe i oryginalne, ROHS
Konkurencyjna cena --- dobre kanały zakupów w dobrej cenie.
Profesjonalna obsługa --- ścisłe testy jakości przed wysyłką i doskonała obsługa posprzedażna po zakupie.
Adekwatny zapas --- Z wsparciem naszego silnego zespołu zakupowego,
Szybka dostawa --- wysyłamy towar w ciągu 1-3 dni roboczych po potwierdzeniu płatności.

andnbsp;

upewnij się, że spełnisz swoje potrzeby w zakresie wszelkiego rodzaju komponentów.^_^

Lista produktów
Dostarczamy serię komponentów elektronicznych, pełną gamę półprzewodników, komponentów aktywnych i pasywnych. Możemy pomóc Ci uzyskać wszystko do bom PCB, jednym słowem, możesz uzyskać tutaj kompleksowe rozwiązanie,

Oferty obejmują:
Układ scalony, układy scalone pamięci, dioda, tranzystor, kondensator, rezystor, warystor, bezpiecznik, trymer i potencjometr, transformator, bateria, kabel, przekaźnik, przełącznik, złącze, listwa zaciskowa, kryształ i oscylator, cewka indukcyjna, czujnik, transformator, sterownik IGBT, LED, LCD, konwerter, PCB (płytka drukowana), PCBA (montaż PCB)

Silne marki:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK itp.

Etykietka:

Osoba kontaktowa: Mrs. Natasha

Tel: 86-13723770752

Faks: 86-755-82815220

Inne produkty

LM3410YSD/NOPB 1,6MHz przetwornica obniżająca (buck) 2,7-5,5V wejście 750mA wyjście 92% sprawności Obudowa SOT-23-5 Wewnętrzny przełącznik 1μA wyłączenie -40°C do +125°C dla urządzeń przenośnych