Dom Produkty Elementy układu scalonego

CSD18563Q5A 60V MOSFET 1.7mΩ RDS ((on) 300A Prąd szybkie przełączanie AEC-Q101 Kwalifikowany wyższa wydajność cieplna D2PAK-7 pakiet dla motoryzacji i energii

Wszystkie produkty

Moduł 4G 5G (37)

Moduł komunikacji bezprzewodowej (38)

Moduł odbiornika GPS (11)

Zintegrowane moduły zasilania (4)

Moduł mocy IGBT (58)

Elementy układu scalonego (533)

Pasywne komponenty elektroniczne (91)

Antena GPS o wysokim zysku (14)

Antena komunikacji bezprzewodowej (30)

Combo Antena (14)

Antenna niskiej częstotliwości (5)

Antena telewizji cyfrowej (7)

Kabel koncentryczny RF (9)

Złącze koncentryczne RF (10)

Montaż płyt PCB (5)

Złącza bloków zaciskowych (16)

Chiny TOP Electronic Industry Co., Ltd. Certyfikaty

Doskonały produkt, dobra jakość, konkurencyjna cena, profesjonalna obsługa, z 10-letnią współpracą, teraz stajemy się dobrymi przyjaciółmi.

—— Ronald z Boilvii

Jest bardzo miło znaleźć TOP jako naszego partnera w Chinach, tutaj możemy uzyskać najlepszy produkt i usługę, zawsze stawiają klienta na pierwszym miejscu.

—— Carlos - z Argentyny

Jestem bardzo zadowolony ze wszystkich twoich usług. To naprawdę dobry zespół! dzięki kompleksowej ofercie rozwiązań pomóż nam zaoszczędzić wiele czasu i pieniędzy

—— Giancarlo - z Włoch

Im Online Czat teraz

CSD18563Q5A 60V MOSFET 1.7mΩ RDS ((on) 300A Prąd szybkie przełączanie AEC-Q101 Kwalifikowany wyższa wydajność cieplna D2PAK-7 pakiet dla motoryzacji i energii

Duży Obraz : CSD18563Q5A 60V MOSFET 1.7mΩ RDS ((on) 300A Prąd szybkie przełączanie AEC-Q101 Kwalifikowany wyższa wydajność cieplna D2PAK-7 pakiet dla motoryzacji i energii

Szczegóły Produktu:

Miejsce pochodzenia:	Chiny
Nazwa handlowa:	TI
Orzecznictwo:	CE,ROHS
Numer modelu:	CSD18563Q5A

Zapłata:

Minimalne zamówienie:	1 PCS

Kontakt

Szczegółowy opis produktu

stabilność częstotliwości:	±50 ppm	Tolerancja częstotliwości:	±30 ppm
Temperatura pracy:	-40°C ~ 85°C	Pojemność obciążenia:	18pF
Opakowanie / Pudełko:	HC-49/US	nazwisko:	Pasywne elementy elektroniczne
Podkreślić:	D2PAK-7 CSD18563Q5A MOSFET , 300A CSD18563Q5A MOSFET , Kwalifikowany AEC-Q101 CSD18563Q5A MOSFET

CSD18563Q5A 60V MOSFET 1,7 mΩ RDS(on) 300A Prąd Szybkie przełączanie AEC-Q101 Kwalifikowany Doskonała wydajność termiczna Obudowa D2PAK-7 dla motoryzacji i zasilania

andnbsp;

Cechy

andbull; Bardzo niski Qg i Qgd

andbull; Miękka dioda ciała dla zredukowanego dzwonienia

andbull; Niska rezystancja termiczna

andbull; Oceniony na lawinę

andbull; Poziom logiczny

andbull; Płytka zaciskowa bez Pb

andbull; Zgodny z RoHS

andbull; Bez halogenów

andbull; Obudowa z tworzywa sztucznego SON 5 mm × 6 mm

andnbsp;

Zastosowania

FET po stronie dolnej dla przemysłowego konwertera obniżającego

Synchroniczny prostownik po stronie wtórnej

Kontrola silnika

andnbsp;

Opis

Ten 5,7 mΩ, 60 V MOSFET mocy SON 5 mm × 6 mm NexFETandtrade; został zaprojektowany do współpracy z FET kontrolnym CSD18537NQ5A i działania jako FET synchroniczny dla kompletnego rozwiązania chipsetu przemysłowego konwertera obniżającego.

andnbsp;

INFORMACJE

Kategoria	Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET	andnbsp;
Producent	Texas Instruments	andnbsp;
Seria	NexFETandtrade;	andnbsp;
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reelandreg;	andnbsp; andnbsp; andnbsp;
Status części	Aktywny	andnbsp;
Typ FET	N-kanałowy	andnbsp;
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)	andnbsp;
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V	andnbsp;
Prąd - ciągły dren (Id) @ 25anddeg;C	100A (Ta)	andnbsp;
Napięcie sterujące (Max Rds On, Min Rds On)	4,5 V, 10 V	andnbsp;
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6,8 mOhm @ 18A, 10V	andnbsp;
Vgs(th) (Max) @ Id	2,4 V @ 250andmicro;A	andnbsp;
Ładunek bramki (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V	andnbsp;
Vgs (Max)	andplusmn;20V	andnbsp;
Pojemność wejściowa (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 30 V	andnbsp;
Funkcja FET	-	andnbsp;
Rozpraszanie mocy (Max)	3,2 W (Ta), 116 W (Tc)	andnbsp;
Temperatura pracy	-55anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)	andnbsp;
Klasa	-	andnbsp;
Kwalifikacja	-	andnbsp;
Typ montażu	Montaż powierzchniowy	andnbsp;
Obudowa urządzenia dostawcy	8-VSONP (5x6)	andnbsp;
Obudowa / Obudowa	8-PowerTDFN	andnbsp;
Numer produktu bazowego	CSD18563

andnbsp;

Rysunek

andnbsp;

----------------------------------------------------------

1. 10 lat doświadczenia w zakresie komponentów; Kompleksowa obsługa listy BOM; Usługa PCBandamp;PCBA.

2. Produkcja anten komunikacyjnych, kabli koncentrycznych RF, złączy RF, zacisków.

3. Dystrybucja modułów GSM/GPRS, GPS, 3G, 4G/LTE.

Nasze wysokiej jakości produkty, konkurencyjna cena i profesjonalna obsługa,

z pewnością spełnią Twoje potrzeby w zakresie wszelkiego rodzaju komponentów. ^_^

andnbsp;

Etykietka:

Osoba kontaktowa: Mrs. Natasha

Tel: 86-13723770752

Faks: 86-755-82815220

Inne produkty

TLV6001IDBVR 1,8V do 5,5V Wzmacniacz Operacyjny Rail-to-Rail Niska Moc 10µA 1kHz GBW Mikro-obudowa SOT-23 Dla Czujników Zasilanych Bateryjnie i Urządzeń Przenośnych