Oferujemy kompleksowe rozwiązanie, od modułów komunikacyjnych, anten, PCB, PCBA i wszystkich komponentów do PCB Bom.
|
Szczegóły Produktu:
Zapłata:
|
| Nazwa produktu: | karta pamięci | Temperatura pracy: | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) |
|---|---|---|---|
| Napięcie zasilające: | 3-3.6v | Prędkość: | 143 MHz |
| Rozmiar pamięci: | 256 M (16 M x 16) | ||
| High Light: | electronic integrated circuits,arm flash |
||
Pamięć 256M 143MHZ 54TSOP IC IS42S16160G-7TLI marki ISSI.
CECHY
• Częstotliwość zegara: 200,166, 143 MHz
• W pełni synchroniczny; wszystkie sygnały odnoszą się do dodatniego zbocza zegara
• Wewnętrzny bank do ukrywania dostępu do rzędów / ładowania wstępnego
• Pojedyncze zasilanie: 3,3 V + 0,3 V.
• Interfejs LVTTL
• Programowalna długość serii - (1, 2, 4, 8, cała strona)
• Programowalna sekwencja serii: Sekwencyjna / Przeplot
• Automatyczne odświeżanie (CBR)
• Self Refresh
• 8K cykli odświeżania co 32 ms (klasa A2) lub 64 ms (komercyjne, przemysłowe, klasa A1)
• Losowy adres kolumny w każdym cyklu zegara
• Programowalne opóźnienie CAS (2, 3 zegary)
• Zdolność do odczytu / zapisu w trybie ciągłym oraz odczytu / zapisu w trybie ciągłym
• Zakończenie serii przez zatrzymanie serii i polecenie ładowania wstępnego
OPCJE
• Pakiet: 54-pinowy BGA TSOP-II 54-ball
• Zakres temperatur pracy: Komercyjny (0 ° C do + 70 ° C) Przemysłowy (-40 ° C do + 85 ° C) Automotive Grade A1 (-40 ° C do + 85 ° C) Automotive Grade A2 (-40 ° C do + 105 ° C)
INFORMACJE OGÓLNE Synchroniczna pamięć DRAM 256 MB ISSI zapewnia szybki transfer danych przy użyciu architektury potokowej. Wszystkie sygnały wejściowe i wyjściowe odnoszą się do zbocza narastającego wejścia zegara. Pamięć SDRAM 256 MB jest zorganizowana w następujący sposób.
| IS42S83200G | IS42S16160G |
| 8 mln x 8 x 4 banków | Banki 4M x 16x4 |
| 54-stykowy TSOPII | 54-stykowy TSOPII |
| 54-BGA BGA | 54-BGA BGA |
KLUCZOWE PARAMETRY ROZRZĄDU
| Parametr | -5 | -6 | -7 | Jednostka |
| Czas cyklu Clk | ||||
| Opóźnienie CAS = 3 | 5 | 6 | 7 | ns |
| Opóźnienie CAS = 2 | 10 | 10 | 7.5 | ns |
| Częstotliwość Clk | ||||
| Opóźnienie CAS = 3 | 200 | 166 | 143 | Mhz |
| Opóźnienie CAS = 2 | 100 | 100 | 133 | Mhz |
| Czas dostępu z zegara | ||||
| Opóźnienie CAS = 3 | 5 | 5.4 | 5.4 | ns |
| Opóźnienie CAS = 2 | 5 | 5.4 | 5.4 | ns |
| Rodzina | Pamięć |
| Seria | - |
| Opakowanie | Taca |
| Format - pamięć | Baran |
| Typ pamięci | SDRAM |
| Rozmiar pamięci | 256 M (16 M x 16) |
| Prędkość | 143 MHz |
| Berło | Równolegle |
| Napięcie zasilające | 3 V ~ 3,6 V. |
| temperatura robocza | -40 ° C ~ 85 ° C |
| Pakiet / skrzynka | 54-TSOP (0,400 ", szerokość 10,16 mm) |
| Pakiet urządzenia dostawcy | 54-TSOP II |
Rysunek:
Nasza zaleta:
pamiętaj, aby zaspokoić zapotrzebowanie na wszystkie rodzaje komponentów. ^ _ ^
Lista produktów
Dostarcz serię elementów elektronicznych, pełną gamę półprzewodników, elementy aktywne i pasywne. Możemy pomóc Ci uzyskać wszystko na PCB, jednym słowem, tutaj możesz uzyskać kompleksowe rozwiązanie,
Oferty obejmują:
Układ scalony, układy pamięci, dioda, tranzystor, kondensator, rezystor, warystor, bezpiecznik, trymer i potencjometr, transformator, akumulator, kabel, przekaźnik, przełącznik, złącze, blok zacisków, kryształ i oscylator, cewka indukcyjna, czujnik, transformator, sterownik IGBT, LED, LCD, konwerter, PCB (płytka drukowana), PCBA (montaż PCB)
Silny w marce:
Microchip, MAX, AD, TI, NXP, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK itp.
Osoba kontaktowa: Natasha
Tel: 86-13723770752
